[发明专利]具有共享泵的真空腔室有效
| 申请号： | 201280008689.1 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103370768B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | A·帕尔;M·J·萨里纳斯;J·A·里;P·B·路透;I·优素福 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 共享 空腔 | ||
【主权项】：
一种处理基板的系统，包含：腔室主体，所述腔室主体具有隔离于第二基板移送室的第一基板移送室，其中所述第一基板移送室为耦接至远程等离子源的等离子处理腔室且用于在所述第一基板移送室中执行等离子处理；真空泵；前级真空管线，所述前级真空管线耦接至所述真空泵；第一泵送管道，所述第一泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第一基板移送室；以及第二泵送管道，所述第二泵送管道耦接所述前级真空管线至所述第二基板移送室，其中所述第二泵送管道的传导性低于所述第一泵送管道的传导性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
