[发明专利]半导体装置

摘要

由在基板上依次层积的GaN层（1）、AlGaN层（2）和在基板上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极以及AlGaN层（2）的有源区域形成异质结场效应晶体管。具有在该异质结场效应晶体管的有源区域以外的AlGaN层（2）上隔着绝缘膜（30形成的可焊接区域（31a）的漏极电极焊盘（31）与漏极电极连接。在AlGaN层（2）上并且在源极电极与漏极电极焊盘（31）的可焊接区域（31a）之间形成与栅极电极连接的栅极电极延伸部（14）。从而提供一种在不增大元件尺寸的情况下能够提高在无层间绝缘膜的绝缘膜上形成的漏极电极焊盘的可焊接区域与源极电极之间的耐压的半导体装置。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；半导体层（1,2,101,102），形成在所述基板上并包括有源区域；开关元件（S1,S2,S101），具有在所述半导体层（1,2,101,102）的所述有源区域上形成的栅极电极（13,113）、源极电极（11,111）及漏极电极（12,112）；漏极电极焊盘（31,131），与所述漏极电极（12,112）连接，具有在所述半导体层（1,2,101,102）的所述有源区域以外的区域上隔着绝缘膜（30,130）形成的可焊接区域；栅极电极延伸部（14,114,115,116），形成在所述半导体层（1,2,101,102）上并且至少形成在所述源极电极（11,111）与所述漏极电极焊盘（31,131）的可焊接区域之间，与所述栅极电极（13,113）连接。