[发明专利]支承衬底和用于制造半导体芯片的方法有效
| 申请号： | 201280009171.X | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103370779A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | E.K.M.京特;A.普勒斯尔;H.祖尔;T.维特;M.肯普夫;J.邓内马克;B.贝姆;K.珀兹尔迈尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/761 | 分类号： | H01L21/761;H01L23/60;H01L25/16;H01L27/15;H01L33/00;H01L27/14;H01L33/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;汤春龙 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12）。在第一主面与第二主面之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面与第二主面至少针对电压的一个极性电绝缘。此外，说明了一种用于制造具有支承衬底的半导体芯片（3）的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 支承 衬底 用于 制造 半导体 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体层序列的支承衬底（10），该支承衬底（10）具有第一主面（11）和与第一主面对置的第二主面（12），其中在第一主面（11）与第二主面（12）之间构造有二极管结构（2），该二极管结构（2）使第一主面（11）与第二主面（12）至少针对电压的一个极性电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
