[发明专利]远程激发氟与水蒸气的蚀刻方法

摘要

描述一种蚀刻图案化异质构造上的暴露的氧化硅的方法，所述方法包括由含氟前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流进衬底处理区域，在该处等离子体流出物与水蒸气结合。在一些实施方式中，由所述结合所造成的化学反应产生反应物，这些反应物蚀刻所述图案化异质构造以产生薄的残余构造，所述薄的残余构造显现极少变形。这些方法可用于共形地修整氧化硅，同时移除极少或不移除硅、多晶硅、氮化硅、钛或氮化钛。在示范性实施方式中，已发现此处描述的蚀刻工艺移除薄的圆柱状导电构造周围的外模氧化物而不引发圆柱状构造显著地变形。

主权项

一种在衬底处理腔室的衬底处理区域中蚀刻图案化衬底的方法，其中所述图案化衬底具有暴露的氧化硅区域，所述方法包含：将含氟前驱物流进远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物，所述远程等离子体区域以流体连通式耦接所述衬底处理区域；将水蒸气流进所述衬底处理区域而不先使所述水蒸气穿过所述远程等离子体区域；以及通过使这些等离子体流出物流进所述衬底处理区域而蚀刻所述暴露的氧化硅区域。