[发明专利]氮化物半导体发光元件和LED系统无效
| 申请号： | 201280010530.3 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103384922A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;吉田俊治;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，发光层包含主面为m面的InxGa1-xN阱层（0＜x≤1），InxGa1-xN阱层的In组成比x的深度方向分布（depth profile）具有多个峰，多个峰中的各个峰的In组成比x的值不同。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 led 系统 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其具有发光层，该氮化物半导体发光元件的特征在于：所述发光层包含主面为m面的InxGa1‑xN阱层，其中0＜x≤1，所述InxGa1‑xN阱层中的In组成比x的深度方向分布具有多个峰，所述多个峰中的各个峰的所述In组成比x的值不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280010530.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
