[发明专利]电荷存储设备、系统及方法

摘要

本发明描述形成多层式半导体装置的方法连同包含所述多层式半导体装置的设备及系统。在一个此种方法中，在半导体材料层及电介质层中形成开口。处理所述半导体材料层的通过所述开口暴露的一部分，使得以不同于所述层中的剩余半导体材料的方式掺杂所述部分。移除所述层的至少实质上所有所述剩余半导体材料，从而留下所述半导体材料层的所述以不同方式掺杂的部分作为电荷存储结构。在所述电荷存储结构的第一表面上形成隧穿电介质且在所述电荷存储结构的第二表面上形成栅极间电介质。本发明还描述额外实施例。

主权项

一种电荷存储方法，其包括：在多晶硅层和电介质层的交替层中形成开口；处理所述多晶硅层的通过所述开口暴露的一部分，使得以不同于所述层中的剩余多晶硅的方式掺杂所述部分；移除所述层的至少实质上所有所述剩余多晶硅，其中所述多晶硅层的所述以不同方式掺杂的部分包括电荷存储结构；在所述电荷存储结构的第一表面上形成隧穿电介质；及在所述电荷存储结构的第二表面上形成栅极间电介质。