[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201280010564.2 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103392241A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赫尔穆特·菲舍尔;安德烈亚斯·普洛斯尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/024;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有在金属载体元件（3）上的光电子半导体层序列（2），所述金属载体元件具有银作为第一组分和下述材料作为第二组分，所述材料具有与银相比更小的热膨胀系数。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件，具有在金属载体元件（3）上的光电子半导体层序列（2），所述金属载体元件（3）具有作为第一组分的银和作为第二组分的与银相比具有更小的热膨胀系数的材料。
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