[发明专利]用于基于石墨烯和碳纳米管晶体管的集成的先多层互连集成方案有效

专利信息
申请号: 201280010619.X 申请日: 2012-02-25
公开(公告)号: CN103890576A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: Z·刘;G·G·沙希迪 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 贺月娇;于静
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供了集成电路多层集成技术。在一个方面中,提供了一种制造集成电路的方法。该方法包括如下步骤。提供衬底。在所述衬底上形成被设置成叠层的多个互连层,每一个互连层包括一条或多条金属线,其中如果在所述叠层中在一个给定互连层上方存在互连层,则该给定互连层中的金属线大于在所述叠层中位于该给定互连层上方的互连层中的金属线,并且其中如果在所述叠层中在该给定互连层下方存在互连层,则该给定互连层中的金属线小于在所述叠层中位于该给定互连层下方的互连层中的金属线。在所述叠层的最顶层上形成至少一个晶体管。
搜索关键词: 用于 基于 石墨 纳米 晶体管 集成 多层 互连 方案
【主权项】:
一种制造集成电路的方法,包括如下步骤:提供衬底;在所述衬底上形成被设置成叠层的多个互连层,每一个互连层包括一条或多条金属线,其中如果在所述叠层中在一个给定互连层上方存在互连层,则该给定互连层中的金属线大于在所述叠层中位于该给定互连层上方的互连层中的金属线,并且其中如果在所述叠层中在该给定互连层下方存在互连层,则该给定互连层中的金属线小于在所述叠层中位于该给定互连层下方的互连层中的金属线;以及在所述叠层的最顶层上形成至少一个晶体管。
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