[发明专利]具超晶格电流扩展层的横向接触蓝光发光二极管

摘要

一种横向接触蓝光LED器件包含设置在绝缘衬底之上的PAN结构。衬底可为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长GaN模板层。PAN结构包括n型GaN层、包含铟的发光有源层以及p型GaN层。n型GaN层具有至少500nm的厚度。低电阻层(LRL)设置在衬底与PAN结构之间，使得LRL与n型层的底部接触。在一个范例中，LRL为AlGaN/GaN超晶格结构，其方块电阻小于n型GnA层的方块电阻。LRL利用在n型GaN层底下横向传导电流来减小电流拥挤。LRL通过防止底下GaN模板中的位错纹路向上延伸进入PAN结构，来减小缺陷密度。

主权项

一种用于发出非单色光的发光二极管(LED)器件，所述LED器件包括：衬底层；低电阻层，设置在所述衬底层之上，其中所述低电阻层包括多个周期，并且其中所述低电阻层的至少一个周期包含氮化铝镓子层以及氮化镓子层；n型层，设置在所述低电阻层之上并与所述低电阻层接触，并且其中所述n型层具有大于至少五百纳米的厚度；有源层，设置在所述n型层之上，其中所述有源层包括多个周期，并且其中所述有源层的至少一个周期包括氮化铟镓子层以及氮化镓子层；p型层，设置在所述有源层之上；第一电极，设置在所述n型层的至少一部分上并与所述n型层的所述至少一部分电接触；以及第二电极，设置在所述p型层的至少一部分上并与所述p型层的所述至少一部分电接触，并且其中所述第一电极与所述第二电极之间的电流使所述非单色光发出并且通过所述p层。