[发明专利]半导体发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201280012596.6 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103430335A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 田崎宽郎;山田秀高;十川博行 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体发光元件及其制造方法，其能够抑制伴随引线接合的焊盘部分的剥离，同时通过在所述焊盘正下方形成反射层和透光性绝缘层来保持发光元件的输出的改进效果。本发明的半导体发光元件(100)包括：其中包括发光部的半导体层(104)，和位于半导体层(104)上的焊盘电极(105)，半导体发光元件(100)还包括：在半导体层(104)和焊盘电极(105)之间的反射部(108)，其进一步包括位于半导体层(104)上作为电流阻挡层的透光性绝缘层(106)以及位于透光性绝缘层上的反射层(107)；和进一步包括位于半导体层(104)上的、与反射部(108)接触的欧姆电极(109)的接触部。半导体发光元件(100)的特征在于包括在反射层(107)和焊盘电极(105)之间的导电性硬膜(110)，所述导电性硬膜(110)满足HV×t＞630，其中HV(Hv)是其维氏硬度并且t(μm)是其厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光二极管，其具有包括发光部的半导体层和位于所述半导体层上的焊盘电极，所述半导体发光二极管包括：在所述半导体层和所述焊盘电极之间的反射部和接触部，所述反射部包括位于所述半导体层上的作为电流阻挡层的透光性绝缘层以及位于所述透光性绝缘层上的反射层，所述接触部位于所述半导体层上并包括与所述反射部接触的欧姆电极；以及在所述反射层和所述焊盘电极之间的导电性硬膜，其中所述导电性硬膜的HV×t＞630，其中维氏硬度是HV(Hv)并且厚度是t(μm)。
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