[发明专利]制造具有带50nm及更小行间距尺寸的图案化材料层的集成电路装置、光学装置、微型电机和机械精密装置的方法有效
| 申请号： | 201280013375.0 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103430102B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | A·克里普;G·奥特;S·蒙特罗潘切拉;A·洪丘克;C·比特纳 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;C11D1/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘娜,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造集成电路装置、光学装置、微型电机和机械精密装置的方法，所述方法包括以下步骤(1)提供具有带50nm及更小行间距尺寸和＞2纵横比的图案化材料层的基材；(2)通过使基材与含有至少一种带至少一个阳离子或潜阳离子基团的无氟阳离子型表面活性剂A、至少一种带至少一个阴离子或潜阴离子基团的无氟阴离子型表面活性剂A或至少一种无氟两性表面活性剂A的无氟含水溶液S接触至少一次而提供带正或负电荷的图案化材料层表面；和(3)从与基材接触中除去无氟含水溶液S。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 50 nm 行间 尺寸 图案 材料 集成电路 装置 光学 微型 电机 机械 精密 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路装置、光学装置、微型电机和机械精密装置的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供具有带50nm及更小行间距尺寸和＞2纵横比的图案化材料层的基材；(2)通过使半导体基材与含有至少一种带至少一个阳离子或潜阳离子基团的无氟阳离子型表面活性剂A、至少一种带至少一个阴离子或潜阴离子基团的无氟阴离子型表面活性剂A或至少一种无氟两性表面活性剂A的无氟含水溶液S接触至少一次而提供带正或负电荷的图案化材料层表面，其中正或负电荷产生静电斥力；和(3)从与基材接触中除去无氟含水溶液S。
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