[发明专利]真空沉积装置无效

专利信息
申请号: 201280013425.5 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN103518001A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 宫川展幸;西森泰辅;安食高志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王琼先;王永建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计且可提高沉积膜厚度的测量精度的真空沉积装置。在真空室(1)中布置有被沉积体(4)和多个蒸发源(2),所述真空室包括包围被沉积体(4)和多个蒸发源(2)之间的空间的筒状体(3)、以及膜厚度计(10)。所述装置被构造成使得从多个蒸发源(2)蒸发的沉积材料(9)穿过筒状体(3)内部,到达被沉积体(4)的表面,并且沉积在该表面上。在膜厚度计(10)与所述多个蒸发源(2)中的至少一个蒸发源(2)之间布置有导管(7),所述导管用于将从所述蒸发源(2)蒸发的沉积材料(9)引导至膜厚度计(10)。导管(7)在蒸发源(2)一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源(2)的开口表面大致相同的表面上或者所述蒸发源(2)的内部。
搜索关键词: 真空 沉积 装置
【主权项】:
一种真空沉积装置,其在真空室中包括:多个蒸发源;被沉积体;包围被沉积体和所述多个蒸发源之间的空间的筒状体;以及膜厚度计,其中从所述多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过所述筒状体,到达所述被沉积体的表面,并且沉积在所述表面上,在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管,所述导管将从所述蒸发源蒸发的所述沉积材料引导至所述膜厚度计,并且所述导管在所述蒸发源一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280013425.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top