[发明专利]真空沉积装置无效
申请号: | 201280013425.5 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN103518001A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 宫川展幸;西森泰辅;安食高志 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼先;王永建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计且可提高沉积膜厚度的测量精度的真空沉积装置。在真空室(1)中布置有被沉积体(4)和多个蒸发源(2),所述真空室包括包围被沉积体(4)和多个蒸发源(2)之间的空间的筒状体(3)、以及膜厚度计(10)。所述装置被构造成使得从多个蒸发源(2)蒸发的沉积材料(9)穿过筒状体(3)内部,到达被沉积体(4)的表面,并且沉积在该表面上。在膜厚度计(10)与所述多个蒸发源(2)中的至少一个蒸发源(2)之间布置有导管(7),所述导管用于将从所述蒸发源(2)蒸发的沉积材料(9)引导至膜厚度计(10)。导管(7)在蒸发源(2)一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源(2)的开口表面大致相同的表面上或者所述蒸发源(2)的内部。 | ||
搜索关键词: | 真空 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种真空沉积装置,其在真空室中包括:多个蒸发源;被沉积体;包围被沉积体和所述多个蒸发源之间的空间的筒状体;以及膜厚度计,其中从所述多个蒸发源蒸发的沉积材料穿过所述筒状体,到达所述被沉积体的表面,并且沉积在所述表面上,在膜厚度计与所述多个蒸发源中的至少一个之间布置有导管,所述导管将从所述蒸发源蒸发的所述沉积材料引导至所述膜厚度计,并且所述导管在所述蒸发源一侧上的开口表面布置在与所述蒸发源开口表面大致相同的水平面上或者所述蒸发源的内部。
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