[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280013584.5 | 申请日： | 2012-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103443323A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 野中庄平;小见山昌三 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅，并且能够形成耐蚀性及耐热性优异、且低电阻的膜。导电性膜形成用银合金溅射靶由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，或者由具有还含有0.1～1.5质量%的In的成分组成的银合金构成，银合金晶粒的平均粒径为120～400μm，或含有In时为120～250μm，晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 形成 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性膜形成用银合金溅射靶，其特征在于，由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，所述银合金的晶粒的平均粒径为120～400μm，所述晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。
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