[发明专利]硅量子点的光活性层及其制作方法有效
| 申请号： | 201280014208.8 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103443930A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金庆中;洪升辉;朴裁熙;张淙植 | 申请（专利权）人： | 韩国标准科学研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/34;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 活性 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光活性层，其通过交替堆叠硅量子点层和导电多晶硅层形成，在所述硅量子点层中多个活性掺杂的硅量子点被封闭在硅化合物的介质中，所述导电多晶硅层由与所述硅量子点的导电型杂质相同的导电型杂质掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
