[发明专利]制备有机晶体管的方法、有极晶体管、制备半导体器件的方法、半导体器件和电子装置

摘要

本发明提供一种可以获得充分高的载流子迁移率的有机晶体管以及其制造方法。包括通过在布置在基板上的栅极上施涂溶液统一形成栅绝缘膜和有机半导体膜，所述溶液包含聚合物和通式1所表示的化合物，栅绝缘膜含有所述聚合物，以及所述有机半导体膜包括所述化合物(其中R为氢或烷基)。

主权项

1.制备有机晶体管的方法，所述方法包括：通过在布置在基底上的栅极上施涂溶液统一形成栅绝缘膜和有机半导体膜，以及在所述有机半导体膜上形成源极和漏极，所述溶液包含聚合物和下述化合物中的至少一种化合物，所述化合物为：通式1所表示的化合物，通式2所表示的化合物，通式3所表示的化合物，通式4所表示的化合物，具有通式4所表示的结构的化合物，其中R为除烷基外的取代基，通式5所表示的化合物，通式6所表示的化合物，具有通式5或6所表示的结构的化合物，其中R为除烷基外的取代基，和通式7所表示的化合物，所述栅绝缘膜含有所述聚合物，所述有机半导体膜形成在栅绝缘膜上并含有所述至少一种化合物，[化学式1]其中R为线性或支链烷基，[化学式2]其中R为线性或支链烷基，[化学式3]其中R为线性或支链烷基，[化学式4]其中R为烷基，R的个数为2～5，[化学式5]其中R为烷基，R的个数为1～5，[化学式6]其中R为烷基，R的个数为1～5，[化学式7]其中A1和A2为式8所表示的结构，[化学式8]其中R为烷基或其它取代基，R的个数为1～5。