[发明专利]具多个导电介入层的N型氮化镓层无效
| 申请号： | 201280014827.7 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103460410A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈振;付羿 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种竖直的基于GaN的蓝光LED，具有n型层，n型层包括多个导电介入层。n型层包括多个周期。n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层及薄导电的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层。在一个范例中，每一氮化镓子层的厚度基本超过100nm且小于1000nm，并且每一氮化镓铝介入子层的厚度小于25nm。整个n型层的厚度为至少2000nm。氮化镓铝介入子层对氮化镓子层提供压缩应变，从而避免破裂。在形成LED的外延层后，导电载体晶圆接合至该结构。然后去除硅基板。加入电极，并将该结构切割以形成完成的LED装置。因为氮化镓铝介入子层是导电的，所以整个n型层可保留作为完成的LED装置的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具多个 导电 介入 氮化 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)装置的制造方法，包括：(a)在硅基板之上形成n型层，其中所述n型层包括多个周期，所述n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层以及掺杂硅的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层；(b)在所述n型层之上形成有源层，其中所述有源层包含一定量的铟；以及(c)在所述有源层之上形成p型层，使得所述硅基板、所述n型层、所述有源层以及所述p型层形成第一结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝技术中心有限公司，未经东芝技术中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280014827.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种花盆
- 下一篇：带电子表和播放器的笔
