[发明专利]用于在低pO2气氛中可获得的陶瓷装置的烧结添加剂无效

专利信息
申请号: 201280014872.2 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN103460479A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: S.拉莫斯塞;T.克勒门索;H.P.拉森 申请(专利权)人: 丹麦技术大学
主分类号: H01M8/12 分类号: H01M8/12;H01M4/88;C04B35/462;C04B35/486;C04B35/50;C04B35/44;C04B35/64;B01D53/22;B01D69/12;B01D71/02;B01D67/00;C23C28/00;C01B13/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 赵胜宝;李进
地址: 丹麦*** 国省代码: 丹麦;DK
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摘要: 发明提供在低pO2气氛中生产陶瓷装置的方法,其包括以下步骤:-提供包含基底材料和过渡金属的组合物,其中用于第一层的基底材料选自锆酸盐、铈酸盐、钛酸盐、镧酸盐、铝酸盐、掺杂氧化锆和/或掺杂二氧化铈,其中掺杂物选自Ca、Ga、Sc、Y,和镧系元素;-形成所述组合物的第一层,其中所述第一层为电解质层;-在所述第一层的一面或两面上形成至少一个电极层或电极前体层;和-在低pO2气氛中烧结多层结构;其特征在于:-过渡金属的量为基于第一层的组合物计的0.01-4mol%;-氧气分压pO2为10-14Pa或更少;和-烧结温度在700-1600℃范围内。
搜索关键词: 用于 po sub 气氛 可获得 陶瓷 装置 烧结 添加剂
【主权项】:
一种在低pO2气氛中生产陶瓷装置的方法,该方法包括以下步骤:‑ 提供包含基底材料和过渡金属的组合物,其中用于第一层的基底材料选自锆酸盐、铈酸盐、钛酸盐、镧酸盐、铝酸盐、掺杂氧化锆和/或掺杂二氧化铈,其中掺杂物选自Ca、Ga、Sc、Y,和镧系元素;‑ 形成所述组合物的第一层,其中所述第一层为电解质层;‑ 在所述第一层的一面或两面上形成至少一个电极层或电极前体层;和‑ 在低pO2气氛中烧结多层结构;其特征在于‑ 过渡金属的量为基于第一层的组合物计的0.01‑4 mol%;‑ 氧气分压pO2为10‑14 Pa或更少;和‑ 烧结温度在700‑1600℃范围内。
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