[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

光电转换装置（10）具备：n型单晶硅基板（21）；层叠在n型单晶硅基板（21）的一个面上的IN层（25）；IP层（26），其以层叠在IN层（25）的一个面上的未层叠IN层（25）的区域并且具有与层叠有IN层（25）的区域重叠的重叠区域（26*）的方式层叠；与IN层（25）电连接并遍及重叠区域（26*）上形成的n侧电极40；和以与n侧电极（40）离开且与IP层（26）电连接的方式形成的p侧电极（50），IP层（26）在形成有n侧电极（40）的区域和形成有p侧电极（50）的区域之间形成有分离间隙（60）。

主权项

一种光电转换装置，其特征在于，包括：结晶类半导体基板；层叠在所述结晶类半导体基板的一个面上的第一非晶质半导体层；第二非晶质半导体层，其包括以层叠在所述结晶类半导体基板的所述面上的未层叠所述第一非晶质半导体层的区域，并且具有与层叠有所述第一非晶质半导体层的区域重叠的重叠区域的方式层叠的、与所述第一非晶质半导体层相反的导电型的层；第一电极，其与所述第一非晶质半导体层电连接，遍及在所述第二非晶质半导体层的所述重叠区域上形成；和第二电极，其以与所述第一电极离开且与所述第二非晶质半导体层电连接的方式形成，所述第二非晶质半导体层在形成有所述第一电极的区域和形成有所述第二电极的区域之间，具有分离间隙或厚度比其它的区域薄的薄膜区域。