[发明专利]使用多个量身定做的激光脉冲波形来激光处理工件的方法和系统无效
申请号: | 201280014991.8 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN103477427A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 安德鲁·虎柏;大卫·巴席克;凯利·J·布鲁兰德;达瑞·S·芬恩;林恩·薛翰;彭晓原;大迫康;吉姆·杜摩斯特;威廉·J·乔丹 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 量身定做的激光脉冲波形用于处理工件。在芯片粘结薄膜(DAF)上激光划片半导体设备晶圆例如可使用不同的量身定做的激光脉冲波形来向下切割设备层到半导体基板、划片所述半导体基板、切断下面的所述DAF和/或后处理所述上芯片沿以增大芯片断裂强度。不同的单一形状激光脉冲列可用于相应的方法步骤或激光束在切割线上的平移。在另一实施方案中,切割半导体设备晶圆只包括使用混合形状激光脉冲列来沿切割线单次平移激光束,所述混合形状激光脉冲列包括彼此不同的至少两个激光脉冲。另外或在其它实施方案中,可实时选择一个或多个量身定做的脉冲波形并向所述工件提供所述一个或多个量身定做的脉冲波形。所述选择可基于传感器反馈。 | ||
搜索关键词: | 使用 量身定做 激光 脉冲 波形 处理 工件 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种使用实时改变的多个不同时间脉冲剖面来激光划片工件的方法,所述工件包括在半导体基板上形成的一个或多个设备层,所述一个或多个设备层包括由一个或多个道隔开的多个相互隔开电子电路组件的模式,激光束可沿着所述一个或多个道来形成侧壁界定的切口,所述方法包括:选择第一时间脉冲剖面形状和第二时间脉冲剖面形状;使用单一激光源产生第一激光脉冲列和第二激光脉冲列,所述第一激光脉冲列包括根据所述第一时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列,所述第二激光脉冲列包括根据所述第二时间脉冲剖面形状时间成形的激光脉冲的序列;在沿道首次平移所述激光束时,将所述第一激光脉冲列导向所述工件以沿所述道去除所述一个或多个设备层的至少第一部分;以及在沿所述道第二次平移所述激光束时,将所述第二激光脉冲列导向所述工件以沿所述道切穿所述半导体晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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