[发明专利]半导体器件及其制造方法以及便携式电话机有效
| 申请号： | 201280015308.2 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103444080A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 浅井健吾;礒部敦 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H01L21/3205;H01L21/331;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;H01L29/737;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/187;H01L41/ |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供在以例如便携式电话机为代表的移动通信机器中，在与功率放大器相同的半导体衬底上形成发送滤波器、接收滤波器时，尽可能减小来自功率放大器的热对发送滤波器、接收滤波器的影响，可以维持发送滤波器、接收滤波器的滤波器特性（电气特性）的技术。在包含形成LDMOSFET的区域（AR1）和形成薄膜压电体波谐振器（BAW）的区域（AR2）的半导体衬底（1S）的整个区域中，在钝化膜（PAS）上设置高热传导率膜（HCF）。由此，主要由LDMOSFET产生的热，利用在半导体衬底（1S）的整个面上形成的高热传导率膜（HCF）高效地向各个方向散热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 便携式 电话机 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于包括：（a）、半导体衬底；（b）、在上述半导体衬底的第1区域上形成的半导体元件；（c）、覆盖上述半导体元件的、在上述半导体衬底上形成的绝缘膜；（d）、作为在上述绝缘膜上形成的膜的、热传导率比上述绝缘膜高的高热传导率膜；以及（e）、在形成在上述半导体衬底的第2区域上的上述绝缘膜上隔着上述高热传导率膜形成的薄膜压电体波谐振器。
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