[发明专利]用于键合两个晶片的方法和装置有效
申请号: | 201280015662.5 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103582940B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 埃里希·塔尔纳 | 申请(专利权)人: | 埃里希·塔尔纳 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/762 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 张涛,胡莉莉 |
地址: | 奥地利圣*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于在两个晶片(2,3)的连接面V处键合所述两个晶片(2,3)的装置,其中设置具有压力面(D)的压力传输装置,所述压力面D用于以压力面(D)处的键合压力来加载晶片(2,3),其特征在于,所述压力面D比所述连接面V更小。此外,本发明涉及一种用于在两个晶片(2,3)的连接面(V)处键合所述两个晶片(2,3)的方法,其中通过具有用于对晶片(2,3)加载的压力面(D)的压力传输装置(1)相继在所述连接面(V)的子片段上施加键合力。 | ||
搜索关键词: | 用于 两个 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】:
用于键合第一和第二晶片(2,3)的装置,该键合使得所述第一和第二晶片通过所述第一晶片(3)的一个或多个结构(5)以及所述第二晶片(2)的一个或多个结构(5')在所述结构(5,5')的位于第一和第二晶片(2,3)之间的连接面V处连接在一起,其中所述第一和第二晶片(2,3)分别具有第一面和第二面,其中所述第一晶片(3)的所述结构(5)在所述第一晶片(3)的第一面上,并且所述第二晶片(2)的所述结构(5')在所述第二晶片(2)的第二面上,所述装置包括:用于容纳所述第一晶片(3)的容纳体(4),所述第一晶片(3)的第二面朝向所述容纳体(4),压力传输装置(1),其具有接触所述第二晶片(2)的第一面以便向所述第一和第二晶片(2,3)施加键合压力的压力面D,所述压力面D的面积小于形成所述连接面V的所述结构(5,5')的表面总面积,其中所述第二晶片(2)的第二面朝向所述第一晶片(3)的第一面,和用于将所述压力面D相继与所述第二晶片(2)的第一面的多个子片段接触的装置,由此在所述连接面V的多个子片段处分别施加所述键合压力,其中至少部分地以超声波加载所述压力面D,并且所述压力面D将所述超声波传递给所述连接面V,其中所述压力面D是楔形的。
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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