[发明专利]半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置在审
| 申请号： | 201280015801.4 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103443314A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 森冈勉;青山齐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C1/04;C22C9/00;H01L23/373 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量%铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小，因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 散热 mo 烧结 部件 以及 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量%铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝高新材料公司，未经株式会社东芝;东芝高新材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280015801.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：塑料管笔身毛笔
- 下一篇：制造用于编码器的磁性基片的方法
