[发明专利]气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该原子层沉积装置的原子层沉积方法

摘要

本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。同时，通过在沿着供气管的外表面的特定部分中所形成的进气孔所供应的气体被吸入。因此，当所述气体喷注装置被设置在靠近所述衬底处时，气体的供应和吸入可以同时进行。此处，由于沉积工艺是在常压下进行，所以不需要提供额外的装置及设置额外的时间来建立真空。并且，因为能够实施连续的工艺，所以工艺前步骤或工艺后步骤可以同时一起进行。此外，可以提供多个来源气喷注装置来形成多组分化合物。在这种情况下，可以针对每一种来源气分解温度来单独地调整热源的种类和所供应的热量。

主权项

一种气体喷注装置，包括：供气管，所述供气管具有第一圆周表面和导槽，所述第一圆周表面围住气体供应所通过的孔，所述导槽从所述第一圆周表面的开口部分起延伸，所述导槽限定用作排气孔的空间；以及吸气管，所述吸气管具有第二圆周表面和吸气孔，所述第二圆周表面连接至所述导槽，所述第二圆周表面围住所述第一圆周表面的外表面，所述吸气孔形成在所述第二圆周表面的一部分中。