[发明专利]多晶硅中碳浓度的测定方法有效
| 申请号： | 201280016408.7 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103477207A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 冈田淳一;小林幸一;久米史高 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/35 | 分类号： | G01N21/35 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够简易简便地测定多晶硅棒中所希望位置的代位碳杂质的大致浓度的方法。从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度。使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，在与制作校准曲线时相同的条件下，求出镜面磨削后的板状多晶硅的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，在不进行厚度修正的情况下求出代位碳浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅中碳 浓度 测定 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅中碳浓度的测定方法，其特征在于，从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度，使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，在与制作所述校准曲线时相同的条件下，求出所述镜面磨削后的板状多晶硅所希望位置的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，在不进行厚度修正的情况下，基于所述校准曲线求出所述板状多晶硅的代位碳浓度。
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