[发明专利]控制氧化硅膜厚度的方法无效
| 申请号： | 201280016521.5 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103563048A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张元昌 | 申请（专利权）人： | 奈特考尔技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出在单步中实现了在衬底正面、背面上涂覆不同厚度膜的沉积方法，沉积膜的厚度可以通过衬底间的分隔间隔进行控制，在相同的化学浴中衬底间不同的分隔距离使得在衬底上可以实现不同的膜厚度，其中，衬底可以被布置，以在其正、背面之间形成不同的分隔距离，V形布置或在靠近衬底处设置一挡屏，且在衬底和挡屏之间的分隔距离可变化。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 氧化 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种涂覆衬底的方法，包括：准备用于沉积的化学溶液；将多个衬底置于承载器中，其中，所述承载器将所述衬底的底部分隔开第一预设间隔，将所述衬底的顶底分隔开第二预设间隔；将所述承载器和多个衬底浸入所述化学溶液中一预设的时间段，以在所述衬底上沉积相应厚度的膜，所述厚度与所述衬底间间隔距离相对应；以及将所述承载器和所述多个衬底从所述化学溶液中移出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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