[发明专利]附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置

摘要

附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。

主权项

一种附有绝缘层的金属基板，其特征在于包括：金属基板，至少单面具有金属铝；以及复合构造层，由多孔氧化铝膜与碱金属硅酸盐膜所形成，所述多孔氧化铝膜藉由阳极氧化而形成在所述金属铝上，所述碱金属硅酸盐膜披覆所述多孔氧化铝膜及所述多孔氧化铝膜的细孔表面，其中，在所述复合构造层侧自所述复合构造层与所述金属铝的界面厚度1μm的位置与在所述复合构造层侧自所述复合构造层与位于所述金属铝的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，所述复合构造层中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。