[发明专利]磁记录膜用溅射靶有效
| 申请号： | 201280016580.2 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN103459656A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C5/02;C22C5/04;C22C5/06;C22C30/00;C22C30/02;C22C38/00;G11B5/851;C22C1/04;C22C33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G带与D带的峰强度比(IG/ID)为5.0以下。本发明的课题在于提供一种高密度溅射靶，其能够提供能在不使用昂贵的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜的分散有C粒子的磁记录膜用溅射靶、特别是Fe-Pt系溅射靶，虽然碳为难以烧结的材料，而且存在碳之间容易形成聚集体的问题，从而存在溅射中碳块容易脱离而在溅射后的膜上产生大量粉粒的问题，但所述高密度溅射靶能够解决上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 溅射 | ||
【主权项】：
一种磁记录膜用溅射靶，其含有C，其特征在于，拉曼散射光谱测定中的G带与D带的峰强度比(IG/ID)为5.0以下。
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