[发明专利]用于纳米结构阵列的电极结构及其方法无效
| 申请号： | 201280016754.5 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103460387A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 马修·L·斯卡林;马达夫·A·卡里;亚当·洛里默;塞尔文·姆肯海恩;加布里埃尔·马特斯;贾斯汀·泰内斯·卡德尔;芭芭拉·瓦克尔 | 申请（专利权）人： | 阿尔法贝特能源公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;杨淑媛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种热电装置及其方法。热电装置包括纳米线、接触层、以及分流器。每个纳米线包括第一端和第二端。接触层经由每个纳米线的至少第一端电联接纳米线。分流器电联接到接触层。所有纳米线基本上平行于彼此。第一端和接触层之间的第一接触电阻率范围从10-13Ω-m2到10-7Ω-m2。第一端和接触层之间的第一功函数小于0.8电子伏特。接触层与第一热阻相关，该第一热阻范围从10-2K/W到1010K/W。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 结构 阵列 电极 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种热电装置，所述装置包括：纳米线，每个纳米线包括第一端和第二端；接触层，其经由每个纳米线的至少第一端电联接纳米线；和分流器，其电联接到接触层；其中：所有纳米线基本上平行于彼此；第一端和接触层之间的第一接触电阻率范围从10‑13Ω‑m2到10‑7Ω‑m2；第一端和接触层之间的第一功函数小于0.8电子伏特；而接触层与第一热阻相关，该第一热阻范围从10‑2K/W到1010K/W。
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