[发明专利]发光二极管的制造方法无效
| 申请号： | 201280016789.9 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103460408A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王涛 | 申请（专利权）人： | 塞伦光子学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 英国布*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造例如发光二极管的半导体器件的方法（100）。所述方法（100）包括提供半导体晶片，以及在半导体晶片之上提供保护层。优选所述保护层包括铟锡氧化物。在所述晶片上执行多个加工步骤，设置所述保护层以在所述多个加工步骤中保护所述晶片。所述加工步骤可以包括：在保护层之上形成掩模层（115），所述掩模层用于蚀刻透所述保护层并蚀刻进入所述半导体晶片、去除所述掩模层、或蚀刻提供在选择性蚀刻的半导体晶片之上的填充材料（150）。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管的方法，包括以下步骤：（i）提供包括多个层的半导体晶片，所述多个层包括发光层；（ii）在所述半导体晶片之上提供保护层；（iii）在所述半导体晶片上执行加工步骤以形成发光二极管；其中，设置所述保护层以在至少一个加工步骤中保护所述半导体晶片。
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