[发明专利]光电场增强器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280016792.0 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103492861A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 山添昇吾;纳谷昌之 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y20/00;B82Y40/00;C23C28/00;G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造能够以高灵敏度、简单且低成本的方式检测拉曼散射光的光电场增强器件。[解决方案]在基板(11)上形成由第一金属或金属氧化物形成的薄膜(20)，并通过使形成于基板(11)上的薄膜(20)进行水热反应而形成由第一金属或金属氧化物的氢氧化物形成的微细凹凸结构层(22)，之后在微细凹凸结构层(22)表面上形成由第二金属形成的金属微细凹凸结构层(24)。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 增强 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光电场增强器件的方法，所述方法包括：薄膜形成步骤，所述步骤在基板上形成由第一金属或金属氧化物形成的薄膜；微细凹凸结构层形成步骤，所述步骤通过使形成于所述基板上的所述薄膜进行水热反应而形成由所述第一金属或所述金属氧化物的氢氧化物构成的微细凹凸结构层；和金属层形成步骤，所述步骤在所述微细凹凸结构层表面上形成由第二金属构成的金属微细凹凸结构层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社，未经富士胶片株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280016792.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
