[发明专利]用于半导体器件的双有源层及其制造方法无效
| 申请号： | 201280017495.8 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103548146A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | M.马尔斯 | 申请（专利权）人： | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包括用于半导体器件的双有源层。还披露了相关装置及方法的其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 有源 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：晶体管，该晶体管包括：栅极金属层；该栅极金属层之上的晶体管有源层；以及该晶体管有源层之上的源极/漏极触点层，该源极/漏极触点层包括第一源极/漏极触点和第二源极/漏极触点；其中：该晶体管有源层包括：该栅极金属层之上的第一有源层，该第一有源层包括至少一种第一金属氧化物；以及该第一有源层之上的第二有源层，该第二有源层包括至少一种第二金属氧化物；该第一有源层包括第一电导率；该第二有源层包括第二电导率；并且该第一电导率大于该第二电导率。
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