[发明专利]在半导电结构上无催化剂选择性生长的方法有效
| 申请号： | 201280017506.2 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103477438A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | J·埃默里;达米恩·所罗门;陈晓军;克里斯托弗·迪朗 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/02;B82Y40/00;B82Y10/00;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 武晨燕;归莹 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导电结构上无催化剂选择性生长的方法。根据尤其可适用于电子学领域的该方法，由第一气体流或分子流形成半导电结构（12）；同时或随后将至少一种第二气体流或分子流添加到该第一气体流或分子流中，以在该结构上选择性地原位生长电介质层（14）；并且随后由第三气体流或分子流在该结构上生长另一半导电结构（16）。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 催化剂 选择性 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种在第一半导电结构（12）上无催化剂选择性生长的方法，其中，所述第一半导电结构由第一气体流或分子流形成在衬底（6）上，所述方法的特征在于：同时或随后将至少一种第二气体流或分子流添加到所述第一气体流或分子流中，所述第二气体流或分子流能够在所述第一半导电结构（12）上选择性地原位生长电介质层（14），以及在因此提供有所述电介质层（14）的所述第一半导电结构（12）上，由第三气体流或分子流生长第二半导电结构（16）。
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