[发明专利]半导体制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 201280017671.8 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103460352A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李起薰;柳东浩 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明是提供一种适用于半导体金属布线工艺的半导体制造装置及制造方法。半导体制造装置，包括：承载室；和至少一个以上的处理室；和传送室；及抗氧化气体供应部。处理室接收基板后进行热处理（annealing）工艺。传送室是在承载室与处理室之间传送基板。抗氧化气体供应部是至少向传送室与承载室中一方供应抗氧化气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置，其特征在于，包括：承载室；至少一个以上的处理室，接收到供应的基板进行热处理工艺；传送室，在所述承载室与所述处理室之间传送基板；及抗氧化气体供应部，至少向所述传送室与所述承载室中一方供应抗氧化气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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