[发明专利]多频中空阴极以及安装该多频中空阴极的系统

摘要

本发明总体涉及多频中空阴极以及安装该多频中空阴极的系统，具体提供了一种在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统。该系统包括成型为包围内腔的导电构件，所述导电构件被形成为具有与所述内腔流体连通的工艺气体入口，且被形成为具有使所述内腔暴露于衬底处理区域的开口。该系统还包括与所述导电构件电气连通以便实现第一RF功率至所述导电构件的传送的第一射频（RF）功率源。该系统进一步包括与所述导电构件电气连通以便实现第二RF功率至所述导电构件的传送的第二RF功率源。第一和第二RF功率源就频率和振幅而言是独立可控的。

主权项

一种在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统，其包括：成型为包围内腔的导电构件，其中所述导电构件被形成为具有与所述内腔流体连通的工艺气体入口，且其中所述导电构件被形成为具有使所述内腔暴露于衬底处理区域的开口；与所述导电构件电气连通以便实现第一RF功率至所述导电构件的传送的第一射频（RF）功率源；以及与所述导电构件电气连通以便实现第二RF功率至所述导电构件的传送的第二RF功率源，其中所述第一RF功率源和所述第二RF功率源是能独立可控的，使得所述第一RF功率和所述第二RF功率就频率和振幅而言是独立可控的。