[发明专利]具有凹陷沟道膜和突变结的MOSFET

摘要

公开了具有凹陷沟道和突变结的MOSFET和用于制造该MOSFET的方法。所述方法包括在虚设栅极处于适当位置时制造源极和漏极延伸。所述源极/漏极延伸与硅衬底产生扩散结。所述方法包括除去所述虚设栅极以及在所述硅衬底中蚀刻凹陷。所述凹陷与所述源极和漏极结的至少一部分相交。然后，通过生长硅膜以至少部分填充所述凹陷而形成沟道。所述沟道与源极和漏极具有陡峭结，而保留在沟道下方的未被蚀刻的硅具有与源极和漏极的扩散结。由此，可以产生在同一晶体管中具有两个结区（陡峭和扩散）的MOSFET。

主权项

一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供绝缘体上半导体层；在所述绝缘体上半导体层上形成虚设栅极；通过掺杂所述绝缘体上半导体层以形成掺杂的绝缘体上半导体‑源极‑漏极，形成多个第一结；在所述绝缘体上半导体层之上形成绝缘层；除去所述虚设栅极，形成所述绝缘体上半导体层的暴露部分；蚀刻所述绝缘体上半导体层的所述暴露部分，其中所述蚀刻：(i)在所述绝缘体上半导体层中形成凹陷；(ii)在所述凹陷下方留下所述绝缘体上半导体层的剩余部分；以及(iii)除去所述第一结的至少一部分；使用膜至少部分填充所述凹陷以形成沟道膜以及在所述沟道膜与所述掺杂的绝缘体上半导体‑源极‑漏极之间的多个第二结,其中所述沟道膜的顶表面低于所述绝缘体上半导体层的顶表面；在所述沟道膜之上沉积高介电常数材料；以及形成与所述高介电常数材料接触的金属栅极叠层。