[发明专利]发射极化辐射的半导体芯片有效
| 申请号： | 201280018724.8 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103733364A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | H·林德贝格 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，包括：带有活性区(3)的半导体本体(2)，该活性区发射非极化的辐射，这种辐射带有第一极化的第一辐射部分(S1)和第二极化的第二辐射部分(S2)；格栅结构(4)，该格栅结构用作延迟板或极化过滤器，且使得在由半导体芯片(1)通过耦合输出侧(6)发射的辐射(S)中的一个辐射部分(S1、S2)相比于另一辐射部分(S2、S1)有所增加，从而半导体芯片(1)发射极化的辐射(S)，该极化的辐射具有增强的辐射部分(S1、S2)的极化，其中，减弱的辐射部分(S2、S1)保留在半导体芯片(1)中：光学结构(5)，该光学结构把保留在半导体芯片(1)中的减弱的辐射部分(S2、S1)的至少一部分的极化转换为增强的辐射部分(S1、S2)的极化；和位于耦合输出侧(6)的对面的反射性背面(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 极化 辐射 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
发射辐射的半导体芯片(1)，包括：‑带有活性区(3)的半导体本体(2)，该活性区发射非极化的辐射，所述非极化的辐射带有第一极化的第一辐射部分(S1)和第二极化的第二辐射部分(S2)：‑格栅结构(4)，该格栅结构用作延迟板或极化过滤器，且使得在由半导体芯片(1)通过耦合输出侧(6)发射的辐射(S)中的一个辐射部分(S1、S2)相比于另一辐射部分(S2、S1)有所增加，从而半导体芯片(1)发射极化的辐射(S)，该极化的辐射具有增强的辐射部分(S1、S2)的极化，其中，减弱的辐射部分(S2、S1)保留在半导体芯片(1)中；‑光学结构(5)，该光学结构把保留在半导体芯片(1)中的减弱的辐射部分(S2、S1)的至少一部分的极化转换为增强的辐射部分(S1、S2)的极化；和‑位于耦合输出侧(6)的对面的反射性背面(7)。
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