[发明专利]肖特基二极管无效
| 申请号： | 201280018873.4 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103493205A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 柴田大辅;按田义治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管，具有：半导体层层叠体，其包括在基板(1)上形成的GaN层(4b)、以及在该GaN层上形成并且与GaN层相比带隙更大的AlGaN层(4a)；阳极电极(6)以及阴极电极(7)，它们在该半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及阻挡层(5)，在阳极电极(6)与阴极电极(7)之间的区域形成为与AlGaN层相接。阳极电极的一部分以不与AlGaN层的表面相接的方式形成在阻挡层上。阳极电极与阻挡层的势垒高度大于阳极电极与AlaN层的势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，具有：基板；半导体层层叠体，其包括在上述基板上形成的第一氮化物半导体层、以及在该第一氮化物半导体层上形成并且与上述第一氮化物半导体层相比带隙更大的第二氮化物半导体层；阳极电极以及阴极电极，在上述半导体层层叠体上相互隔开间隔地形成；以及阻挡层，其在上述阳极电极与上述阴极电极之间的区域形成为与上述第二氮化物半导体层相接，上述阳极电极的一部分以不与上述第二氮化物半导体层的表面相接的方式形成在上述阻挡层上，上述阳极电极与上述阻挡层的势垒高度大于上述阳极电极与上述第二氮化物半导体层的势垒高度。
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