[发明专利]薄膜晶体管、显示面板和薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201280019248.1 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103477441A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管具备：栅极电极(11a)；覆盖栅极电极(11a)的栅极绝缘膜(12a)；设置在栅极绝缘膜(12a)上的包含氧化物半导体的半导体层(13a)；隔着还原性高的金属层(15aa、15ab)设置于半导体层(13a)且夹着沟道区域(C)地相互分离的源极电极(16aa)和漏极电极(16ab)；设置于半导体层(13a)的导电区域(E)；和设置于半导体层(13a)且抑制导电区域(E)对沟道区域(C)的扩散的扩散抑制部(13ca、13cb)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，具备：设置于基板的栅极电极；以覆盖所述栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜；设置在所述栅极绝缘膜上、以与所述栅极电极重叠的方式配置有沟道区域的包含氧化物半导体的半导体层；隔着还原性高于该半导体层的金属层设置于所述半导体层、以夹着所述沟道区域地相互分离的方式配置的源极电极和漏极电极；设置于所述半导体层、与所述金属层接触而被还原的导电区域；和设置于所述半导体层、用于抑制所述导电区域对所述沟道区域的扩散的扩散抑制部。
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