[发明专利]氮化物半导体发光芯片、氮化物半导体发光装置及氮化物半导体芯片的制造方法

摘要

氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。

主权项

一种氮化物半导体发光芯片，其特征在于包括：具有氮化物半导体层的导电性基板、形成在所述氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层、形成在所述n型氮化物半导体层上的活性层、形成在所述活性层上的p型氮化物半导体层、以及被设置成为与所述导电性基板接触的n侧电极，所述导电性基板具有多个凹部，该多个凹部形成在与所述主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上，所述n侧电极与所述凹部表面的至少一部分接触，当设所述导电性基板的厚度为T、设所述凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。