[发明专利]无金的欧姆接触有效
| 申请号： | 201280020021.9 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103636001A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | R·V·谢拉卡拉;T·E·卡齐奥;J·R·拉罗什 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明提供一种半导体结构，其具有：半导体；无金的导电结构，其与该半导体欧姆接触；以及一对导电层，其通过硅层分隔开。该结构包括：难熔金属层，其布置为与该半导体接触；并且其中通过该硅层分隔开的该对导电层中的一个是该难熔金属层。第二硅层被布置于该对导电层中的第二个之上，并且包括在该第二硅层上的第三导电层。在一实施例中，该半导体包括III-V族材料。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：III‑V族半导体；以及无金的导电结构，其与所述半导体欧姆接触。
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