[发明专利]布线构造以及显示装置无效

专利信息
申请号: 201280020062.8 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN103503117A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 三木绫;钉宫敏洋 申请(专利权)人: 株式会社神户制钢所
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;G09F9/30;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/786
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在采用了氧化物半导体层的显示装置中,提供一种可有效地防止保护膜形成时的等离子处理中的Cu布线的氧化的技术。本发明的布线构造在基板之上从基板侧起依次具备薄膜晶体管的半导体层(氧化物半导体)、Cu合金膜(第一层(X)和第二层(Z)的层叠构造)和保护膜。第一层(X)由纯Cu等电阻率低的元素构成,第二层包含抗等离子氧化性提高元素。第二层(Z)的至少一部分与所述保护膜直接连接。
搜索关键词: 布线 构造 以及 显示装置
【主权项】:
一种布线构造,在基板之上从基板侧起依次具备薄膜晶体管的半导体层、用于电极的Cu合金膜和保护膜,所述半导体层由氧化物半导体构成,所述Cu合金膜具有从基板侧起依次包括第一层(X)和第二层(Z)的层叠构造,所述第一层(X)由纯Cu或者以Cu作为主成分的电阻率低于所述第二层(Z)的Cu合金构成,所述第二层(Z)由Cu-Z合金构成,该Cu-Z合金包含合计为2~20原子%的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、稀土类元素、Ge以及Mn构成的组群之中选择的至少一种元素Z,所述第二层(Z)的至少一部分与所述保护膜直接连接。
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