[发明专利]布线缺陷检查方法、布线缺陷检查装置以及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201280020078.9 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103492864A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 山田荣二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G01N25/72 | 分类号： | G01N25/72;G01B11/00;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所涉及的布线缺陷检查方法中，获取半导体基板的短路路径的电阻值，将基于所获取的该电阻值而确定的电压施加于具有该缺陷部的该半导体基板，使该缺陷部发热并温度上升，利用红外线摄像机拍摄该缺陷部发热而温度上升的半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 缺陷 检查 方法 装置 以及 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种布线缺陷检查方法，其特征在于，包括：电阻值测定工序，该电阻值测定工序通过对设置在半导体基板上的布线的电阻值进行测定，来判定是否存在布线短路部；发热工序，该发热工序对在所述电阻值测定工序中被判定为具有所述布线短路部的半导体基板的包含该布线短路部的短路路径，施加基于由该电阻值测定工序所测定到的电阻值而确定的电压，从而使该短路路径发热；以及位置确定工序，该位置确定工序利用红外线摄像机拍摄所述发热工序中发热的短路路径，并基于该拍摄的信息来确定所述布线短路部的位置。
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