[发明专利]导电性构件、其制造方法、触摸屏及太阳电池有效
| 申请号： | 201280020112.2 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103503081B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 田中智史;中平真一;松并由木;浅井智仁 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G06F3/041;H01B1/00;H01B1/16;H01B13/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种导电性构件，其包括基材、及设置于上述基材上的导电性层，上述导电性层包含金属纳米线与溶胶凝胶硬化物，上述金属纳米线含有金属元素（a）且平均短轴长度为150nm以下，上述溶胶凝胶硬化物是将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素（b）的烷氧化合物水解及聚缩合而获得，且上述导电性层中所含有的上述元素（b）的物质量相对于上述导电性层中所含有的上述金属元素（a）的物质量的比处于0.10/1～22/1的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 构件 制造 方法 触摸屏 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种导电性构件，其包括基材、设置于上述基材上的导电性层、以及在上述基材与上述导电性层之间具有中间层，上述导电性层包含金属纳米线与溶胶凝胶硬化物，上述金属纳米线含有金属元素(a)且平均短轴长度为150nm以下，上述溶胶凝胶硬化物是将选自由Si、Ti、Zr及Al所组成的组群中的元素(b)的烷氧化合物水解及聚缩合而获得，且上述导电性层中所含有的上述元素(b)的物质量相对于上述导电性层中所含有的上述金属元素(a)的物质量的比处于0.10/1～22/1的范围内，上述导电性层为于0.001g/m2～0.100g/m2的范围内包含平均短轴长度为5nm～60nm的金属纳米线，上述导电性层的平均膜厚为0.005μm～0.5μm，上述中间层与上述导电性层接触、且包含具有可与上述金属纳米线相互作用的官能基的化合物。
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