[发明专利]在氮化镓衬底的半极化（20-2-1）面上制造的III族氮化物光电子器件的高铟吸收和高极化率无效
| 申请号： | 201280020669.6 | 申请日： | 2012-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103931003A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赵宇吉;S·田中;黄嘉彦;D·F·费泽尔;J·S·司倍克;S·P·登巴尔斯;S·纳卡姆拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在氮化镓（GaN）衬底的半极化（20-2-1）面上制造的III族氮化物光电子器件，其特征在于高铟吸收和高极化率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 衬底 极化 20 面上 制造 iii 氮化物 光电子 器件 吸收 | ||
【主权项】：
一种光电子器件，其包括：基于III族氮化物的发光器件，其生长在氮化镓即GaN衬底的半极化（20‑2‑1）面上。
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