[发明专利]高耐久性非易失性存储单元和阵列

摘要

一种电可编程和可擦除存储单元具有第一导电类型的半导体材料的衬底中的两个存储晶体管。第一存储晶体管属于具有衬底中的均为第二导电类型的第一区域和第二区域的类型。该第一和第二区域彼此隔开，在其间有在第一方向上限定的第一沟道区域。第一浮栅处于第一沟道区域的至少一部分之上，与其绝缘，从而控制通过第一沟道区域的电流的导通。第一控制栅极与第一浮栅电容耦合。通过向第一区域施加第一电压来读取第一存储晶体管。

主权项

一种电可编程和可擦除存储单元，包括：第一导电类型的半导体材料的衬底；第一存储晶体管，其类型具有所述衬底中的均为第二导电类型的第一区域和第二区域，其中该第一和第二区域彼此隔开，在其间有在第一方向上限定的第一沟道区域；第一浮栅，处于所述第一沟道区域的至少一部分之上，与其绝缘，从而控制通过第一沟道区域的电流的导通；第一控制栅极，与第一浮栅电容耦合；其中通过向所述第一区域施加第一电压来读取所述第一存储晶体管；第二存储晶体管，其类型具有所述衬底中的均为第二导电类型的第三区域和第四区域，其中该第三和第四区域彼此隔开，在其间有在第一方向上限定的第二沟道区域；其中在基本上与第一方向垂直的第二方向上，第二存储晶体管与第一存储晶体管邻近并隔开，同时第三区域与第一区域在第二方向上横向隔开并且第四区域与第二区域在第二方向上横向隔开；所述第二存储晶体管进一步包括第二浮栅，所述第二浮栅处于所述第二沟道区域的至少一部分之上，与其绝缘，从而控制通过第二沟道区域的电流的导通；第二控制栅极，与第二浮栅电容耦合；其中通过向所述第三区域施加第一电流来编程所述第二存储晶体管；其中第一浮栅与第二浮栅电连接；其中在衬底中第一区域与第三区域绝缘；以及其中通过向第三区域施加第一电流来编程该存储单元，以及通过向第一区域施加第一电压来读取该存储单元。