[发明专利]半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201280021446.1 | 申请日： | 2012-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN103548154A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | T.王 | 申请（专利权）人： | 塞伦光子学有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 英国布*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有半导体层的半导体晶片；在半导体层之上形成第一掩模层；在第一掩模层之上形成第二掩模层；对第二掩模层进行退火以形成岛；采用岛为掩模蚀刻通过第一掩模层和半导体层以形成柱阵列；以及在柱之间且然后在柱的顶部之上生长半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：（i）提供具有半导体层的半导体晶片；（ii）在所述半导体层之上形成第一掩模层；（iii）在所述第一掩模层之上形成第二掩模层；（iv）对所述第二掩模层进行退火以形成岛；（v）采用所述岛作为掩模蚀刻通过所述第一掩模层和所述半导体层以形成柱阵列；（vi）在所述柱之间、然后在所述柱的顶部上生长半导体材料。
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