[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280021955.4 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103502505A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 田村友哉;坂本胜 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22D11/00;B22D11/04;C22C9/00;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供包含Ga组成为29原子%以上的Cu-Ga合金的溅射靶。Cu-Ga合金当Ga组成为29原子%以上时，成为具有脆性的γ相单相组织，因此不能进行压延、锻造等工序。因此，铸造组织的晶粒直径必须小且均匀，以便能够按原样使用铸造组织。通过在一定的冷却速度以上的凝固条件下连续地固化，能够制造包含29～42.6原子%Ga、其余为Cu和不可避免的杂质的熔炼、铸造的Cu-Ga合金溅射靶，其特征在于，溅射表面的平均晶粒直径为3mm以下，靶的断面组织具有从溅射表面起朝向与溅射面平行的中心面的方向生长的柱状组织。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga合金溅射靶，其为包含29～42.6原子%Ga、其余为Cu和不可避免的杂质的、熔炼、铸造的Cu‑Ga合金溅射靶，其特征在于，溅射表面的平均晶粒直径为3mm以下，靶的断面组织具有从溅射表面起朝向与溅射面平行的中心面的方向生长的柱状组织。
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