[发明专利]In2O3－ZnO系溅射靶无效
| 申请号： | 201280022038.8 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103518003A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 糸濑将之;西村麻美;砂川美佐;笠见雅司;矢野公规 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/622;H01L21/203;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）和锌元素（Zn）、以及选自下述X组的一种以上的元素X，并且各元素的原子比满足下述式（1）和（2）：X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm，0.30≤In/（In+Zn）≤0.90（1）、0.70≤In/（In+X）≤0.99（2）（式中，In、Zn和X分别表示溅射靶中的各元素的原子比）。 | ||
| 搜索关键词： | in sub zno 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）和锌元素（Zn）、以及选自下述X组的一种以上的元素X，并且各元素的原子比满足下述式（1）和（2）：X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.30≤In/（In+Zn）≤0.90 （1）0.70≤In/（In+X）≤0.99 （2）式中，In、Zn和X分别表示溅射靶中的各元素的原子比。
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