[发明专利]由冶金级硅或精炼冶金级硅制造基于硅的纳米颗粒的方法有效
| 申请号： | 201280022365.3 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103635612B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | V.莱森科;J.克莱姆;M.梅德加奥伊 | 申请（专利权）人： | 国立里昂应用科学学院;国家科学研究中心;阿波朗.索拉尔公司 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;H01L33/34;B23H3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过基材(7)的电化学蚀刻来制造基于硅的纳米颗粒的方法，特征在于所述基材由冶金级硅或精炼冶金级硅制成，所述基材具有大于0.01%的杂质含量。 | ||
| 搜索关键词： | 冶金 精炼 制造 基于 纳米 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
通过基于硅的纳米粉末制造氢气的方法，特征在于其包括：·提供由包含大于10重量ppm杂质含量的冶金级或高纯冶金级Si制成的基材，·对所述基材(7)进行电化学蚀刻以形成基于硅的纳米粉末，其具有低于用电子级或太阳能级硅获得的硅纳米粉末释放氢气所必需的能量的氢气释放能，和·通过基于硅的纳米粉末生产氢气。
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