[发明专利]In－Ga－Zn系氧化物溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201280022417.7 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103518004A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 砂川美佐;糸濑将之;西村麻美;笠见雅司 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;H01B5/14;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其含有氧化物A和InGaZnO4，所述氧化物A在2θ=7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°、56.5°～59.5°、14.8°～16.2°、22.3°～24.3°、32.2°～34.2°、43.1°～46.1°、46.2°～49.2°和62.7°～66.7°的区域A～K具有衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | in ga zn 氧化物 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其含有下述氧化物A和InGaZnO4，氧化物A：在通过X射线衍射测定（Cukα射线）得到的谱图中，在下述A～K的区域中观测到衍射峰的氧化物，A.2θ=7.0°～8.4°B.2θ=30.6°～32.0°C.2θ=33.8°～35.8°D.2θ=53.5°～56.5°E.2θ=56.5°～59.5°F.2θ=14.8°～16.2°G.2θ=22.3°～24.3°H.2θ=32.2°～34.2°I.2θ=43.1°～46.1°J.2θ=46.2°～49.2°K.2θ=62.7°～66.7°。
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